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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NT56V6620C0T-75 |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, SSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 60/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1701K |
| 代理商： | NT56V6620C0T-75 |
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NT56V6610C0T NT56V6620C0T
64Mb : x8 x16
PC133 / PC100 Synchronous DRAM
REV 1.1 June, 2000
63
NANYA TECHNOLOGY CORP.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Burst Read and Single Write Operation
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
Burst
lenght
=
4
,
(
CAS
latency
=
2
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
T18
T19
T20
T21
T22
WE
*BS1
A10
A0-A9,A11
LDQM
DQ
0
-DQ
7
Hi-Z
Activate
Command
Bank
0
Read
Command
Bank
0
t CK2
RAv
CAv
*BS0="L"
Bank2,3=idle
Av0
Av1
Av2
Av3
Singal
Write
Command
Bank
0
Read
Command
Bank
0
RBx
DAw0
High
CAy
RAz
CAz
Ay0
Ay3
DAz0
Upper
Byte
is
masked
Singal
Write
Command
Bank
0
RBx
CAw
CAx
UDQM
DQ
8
-DQ
15
Ay1
Hi-Z
Av0
Av1
Av2
Av3
DAx0
Ay0
Ay3
DAz0
Ay2
Singal
Write
Command
Bank
0
Lower
Byte
is
masked
Lower
Byte
is
masked
Ay0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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