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參數(shù)資料
| 型號： | NT56V6620C0T-75 |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | SYNCHRONOUS DRAM, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, SSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 42/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 1701K |
| 代理商： | NT56V6620C0T-75 |
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NT56V6610C0T NT56V6620C0T
64Mb : x8 x16
PC133 / PC100 Synchronous DRAM
REV 1.1 June, 2000
47
NANYA TECHNOLOGY CORP.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
AC Parameters for Read Timing (3/3/3)
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
Burst
lenght
=
2
,
(
CAS
latency
=
3
;
t
RCD
=
3
)
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
WE
*BS1
A10
A0-A9,A11
DQM
DQ
Hi-Z
Activate
Command
Bank
0
t CK3
RAx
CAx
Activate
Command
Bank
0
Read
with
Auto
Precharge
Command
Bank
1
*BS0="L"
Bank2,3=idle
Activate
Command
Bank
1
Begin
Auto
Precharge
Bank
0
Begin
Auto
Precharge
Bank
1
RBx
CBx
RAy
t RRD
t RAS(min)
t RC
t RP
t RCD
Ax0
Ax1
Bx0
Read
with
Auto
Precharge
Command
Bank
0
CBx
t RP
t OH
t AC3
Note:Must
satisfy
tRAS(min).
Extended
tRCD
not
requred
for
BL
>=
4
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NT5CB256M4AN-BF | DDR DRAM, PBGA78 |
| NT5DS64M8BF-6KI | DDR DRAM, PBGA60 |
| NT5SE8M16DS-6K | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| NT5SV8M8DT-7 | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| NTC1111-20MHZ | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NT5CB128M16FP-DI | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述: 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
| NT5CB128M16FP-DIA | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
| NT5CB128M16FP-DII | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
| NT5CB128M16HP-CG | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:DRAM |
| NT5CB128M8FN-DH | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
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