參數(shù)資料
型號： FGL40N120AND
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 1200V NPT IGBT
中文描述： 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 492K
代理商： FGL40N120AND
8
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Mechanical Dimensions
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
4.90
±
0.20
20.00
±
0.20
(8.30)
(8.30)
(1.00)
(0.50)
(2.00)
(7.00)
(R1.00)
(R.0
3
±
00
(7.00)
(1.50)
(1.50)
(1.50)
2.50
±
0.20
3.00
±
0.20
2.80
±
0.30
1.00
+0.25
–0.10
0.60
+0.25
–0.10
1
±
0
6
±
0
2
±
0
2
±
0
5
±
0
3
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0
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0
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TO-264
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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FGL40N150 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT
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