參數(shù)資料
型號(hào): FGL40N120AND
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 1200V NPT IGBT
中文描述: 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝: TO-264, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大小: 492K
代理商: FGL40N120AND
8
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Mechanical Dimensions
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
4.90
±
0.20
20.00
±
0.20
(8.30)
(8.30)
(1.00)
(0.50)
(2.00)
(7.00)
(R1.00)
(R.0
3
±
00
(7.00)
(1.50)
(1.50)
(1.50)
2.50
±
0.20
3.00
±
0.20
2.80
±
0.30
1.00
+0.25
–0.10
0.60
+0.25
–0.10
1
±
0
6
±
0
2
±
0
2
±
0
5
±
0
3
±
0
2
±
0
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(
TO-264
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FGL40N120ANDTU 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL40N120ANDTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SINGLE IGBT 1.2KV 64A
FGL40N120ANTU 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL40N150 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT