參數(shù)資料
型號(hào)： FGL40N120AND
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 1200V NPT IGBT
中文描述： 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大小： 492K
代理商： FGL40N120AND
2
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
FGL40N120AND
FGL40N120AND
TO-264
-
-
25
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
BV
CES
/
T
J
I
CES
I
GES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
1200
--
--
V
Temperature Coefficient of Breakdown
Voltage
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
Collector Cut-Off Current
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
1
mA
G-E Leakage Current
--
--
±250
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
I
C
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
I
C
= 40A, V
GE
= 15V
I
C
= 40A, V
GE
= 15V,
T
C
= 125
°
C
I
C
= 64A, V
GE
= 15V
3.5
5.5
7.5
V
V
CE(sat)
Collector to Emitter
Saturation Voltage
--
2.6
3.2
V
--
2.9
--
V
--
3.15
--
V
Dynamic Characteristics
C
ies
C
oes
c
res
Input Capacitance
V
CE
= 30V, V
GE
= 0V
f = 1MHz
--
3200
--
pF
Output Capacitance
--
370
--
pF
Reverse Transfer Capacitance
--
125
--
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
Turn-On Delay Time
V
CC
= 600V, I
C
= 40A,
R
G
= 5
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
15
--
ns
Rise Time
--
20
--
ns
Turn-Off Delay Time
--
110
--
ns
Fall Time
--
40
80
ns
Turn-Off Switching Loss
--
2.3
3.45
mJ
Turn-Off Switching Loss
--
1.1
1.65
mJ
Total Switching Loss
--
3.4
5.1
mJ
Turn-On Delay Time
V
CC
= 600V, I
C
= 40A,
R
G
= 5
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
--
20
--
ns
Rise Time
--
25
--
ns
Turn-Off Delay Time
--
120
--
ns
Fall Time
--
45
--
ns
Turn-On Switching Loss
--
2.5
--
mJ
Turn-Off Switching Loss
--
1.8
--
mJ
Total Switching Loss
--
4.3
--
mJ
Total Gate charge
V
CE
= 600V, I
C
= 40A,
V
GE
= 15V
--
25
38
nC
Gate-Emitter Charge
--
130
195
nC
Gate-Collector Charge
--
220
330
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGL40N150 Electrical Characteristics of the IGBT
FGL40N150D Electrical Characteristics of the IGBT
FGL60N100BNTD NPT-Trench IGBT
FGL60N100D Electrical Characteristics of IGBT
FGL60N170D Electrical Characteristics of IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGL40N120AND_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT
FGL40N120ANDTU 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL40N120ANDTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SINGLE IGBT 1.2KV 64A
FGL40N120ANTU 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGL40N150 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT
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