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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FGL40N120AND |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 1200V NPT IGBT |
| 中文描述： | 64 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | FGL40N120AND |
4
www.fairchildsemi.com
FGL40N120AND Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
Figure 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Figure 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Figure 4. Load Current vs. Frequency
Figure 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Figure 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
10
0
50
100
150
200
250
300
20V
17V
15V
12V
V
GE
= 10V
T
C
= 25
°
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
0
30
60
90
120
150
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
25
50
75
100
125
1
2
3
4
5
80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
40A
I
C
= 20A
C
C
Case Temperature, T
C
[
°
C]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CC
= 600V
Load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
°
C
Power Dissipation = 100W
L
Frequency [kHz]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
80A
40A
Common Emitter
T
C
= 125
°
C
I
C
= 20A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
80A
40A
Common Emitter
T
C
= 25
°
C
I
C
= 20A
C
C
Gate-Emitter Voltage, V
GE
[V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGL40N150 | Electrical Characteristics of the IGBT |
| FGL40N150D | Electrical Characteristics of the IGBT |
| FGL60N100BNTD | NPT-Trench IGBT |
| FGL60N100D | Electrical Characteristics of IGBT |
| FGL60N170D | Electrical Characteristics of IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FGL40N120AND_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT IGBT |
| FGL40N120ANDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL40N120ANDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SINGLE IGBT 1.2KV 64A |
| FGL40N120ANTU | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FGL40N150 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Electrical Characteristics of the IGBT |
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