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參數(shù)資料
| 型號： | NAND512W4B2BN6T |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 35/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 943K |
| 代理商： | NAND512W4B2BN6T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
40/58
Figure 25. Equivalent Testing Circuit for AC Characteristics Measurement
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
VDD-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.1
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.1V
3
4
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.1
V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ai11085
NAND Flash
CL
2Rref
VDD
2Rref
GND
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BV1T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2CV6T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2CZA1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A2CZB6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND64GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND64GW3FGAZN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel |
| NAND98R3M0CZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND98R3M0CZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND98R3M0DZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NUMNAND98R3M0DZBB5E 512+256MB NAND MCP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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