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參數(shù)資料
| 型號： | NAND512W4B2BN6T |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 24/58頁 |
| 文件大小： | 943K |
| 代理商： | NAND512W4B2BN6T |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
30/58
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes three steps are re-
quired:
1.
one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h)
2.
one Bus Write cycle to input the address (00h)
3.
four Bus Read Cycles to sequentially output
the data (as shown in Table 14., Electronic
Table 14. Electronic Signature
Part Number
Byte/Word 1
Byte/Word 2
Byte/Word 3
Byte/Word 4
Manufacturer Code
Device code
NAND512R3B
20h
A2h
Reserved
80h
Page Size
Spare Area size
Sequential Access Time
Block Size
Organization
(seeTable 15.)
NAND512W3B
F2h
NAND512R4B
0020h
B2h
NAND512W4B
C2h
NAND01GR3B
20h
A1h
NAND01GW3B
F1h
NAND01GR4B
0020h
B1h
NAND01GW4B
C1h
NAND02GR3B
20h
AAh
NAND02GW3B
DAh
NAND02GR4B
0020h
BAh
NAND02GW4B
CAh
NAND04GR3B
20h
ACh
NAND04GW3B
DCh
NAND04GR4B
0020h
BCh
NAND04GW4B
CCh
NAND08GR3B
20h
A3h
NAND08GW3B
D3h
NAND08GR4B
0020h
B3h
NAND08GW4B
C3h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BV1T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
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| NAND01GR4B2CZA1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A2CZB6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND64GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND64GW3FGAZN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel |
| NAND98R3M0CZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND98R3M0CZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND98R3M0DZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NUMNAND98R3M0DZBB5E 512+256MB NAND MCP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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