參數資料
型號： NAND512R4A2CZD6E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA55
封裝： 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55
文件頁數： 30/55頁
文件大?。?/td> 1377K
代理商： NAND512R4A2CZD6E
DC and AC parameters
NAND512-A2C
M
Figure 19.
Equivalent testing circuit for AC characteristics measurement
Table 18.
DC characteristics, 1.8 V devices(1)
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating current
Sequential
read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
–8
15
mA
IDD2
Program
–
8
15
mA
IDD3
Erase
–
8
15
mA
IDD5
Standby current (CMOS)
E =VDD -0.2,
WP=0/VDD
–
10
50
A
ILI
Input leakage current
VIN = 0 to VDDmax
–
±10
A
ILO
Output leakage current
VOUT = 0 to VDDmax
–
±10
A
VIH
Input high voltage
–
VDD -0.4
–
VDD +0.3
V
VIL
Input low voltage
–
-0.3
–
0.4
V
VOH
Output high voltage level
IOH = -100 A
VDD-0.1
–
-
V
VOL
Output low voltage level
IOL = 100 A
–
0.1
V
IOL (RB)
Output low current (RB)
VOL = 0.1 V
3
4
mA
VLKO
VDD supply voltage (erase and
program lockout)
–
1.1
V
1.
Leakage currents double on stacked devices.
Ai11085
NAND flash
CL
2Rref
VDD
2Rref
GND
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