| 型號: | NAND128W4A3AN6E | 
| 廠商: | STMICROELECTRONICS | 
| 元件分類: | PROM | 
| 英文描述: | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48 | 
| 封裝: | 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48 | 
| 文件頁數(shù): | 56/56頁 | 
| 文件大?。?/td> | 882K | 
| 代理商: | NAND128W4A3AN6E | 

| 相關(guān)PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| NAND128W4A1AV6 | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 10000 ns, PDSO48 | 
| NAND512R3M0BZBE | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 | 
| NAND512W3A2SN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48 | 
| NAND99R3M2AZBB5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 | 
| NAND99W3M1AZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 | 
| 相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays | 
| NAND16GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel | 
| NAND16GAHAPZO6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays | 
| NAND16GW3B6DPA6E | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 | 
| NAND16GW3B6DPA6F | 功能描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |