型號(hào): | NAND02GW4B2CZA1E |
廠商: | NUMONYX |
元件分類(lèi): | PROM |
英文描述: | 128M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
封裝: | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
文件頁(yè)數(shù): | 53/60頁(yè) |
文件大小: | 1335K |
代理商: | NAND02GW4B2CZA1E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NAND16GW3B4DN6E | 4G X 4 FLASH 3V PROM, 25 ns, PDSO48 |
NAND512R4A2CZD6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA55 |
NB2762ASNR2G | HF - EMI REDUCER; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500 |
NB2762ASNR2 | EMI REDUCER SERIES; Package: TSOP-6; No of Pins: 6; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 2500 |
NC7SB121P5X | 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDSO5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NAND04GR3B2DN6E | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱:497-5040 |
NAND04GR3B2DZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
NAND04GR3B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
NAND04GR3B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |