參數(shù)資料
型號： MRF6V13250HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 11/13頁
文件大?。?/td> 838K
代理商： MRF6V13250HSR3
MRF6V13250HR3 MRF6V13250HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo =10
Zload
f = 1300 MHz
Zsource
f = 1300 MHz
VDD =50 Vdc,IDQ = 100 mA, Pout = 250 W Peak
f
MHz
Zsource
Zload
1300
5.32 + j4.11
1.17 + j1.48
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 11. Series Equivalent Source and Load Impedance — Pulsed
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關PDF資料
PDF描述
MRF6V13250HSR5 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6V2150NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6V2150NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6V2300NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6V3090NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MRF6V14300HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 1400MHZ 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V14300HR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRF6V14300HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 1400MHZ 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6V14300HS 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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