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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6S21100NBR1 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1484-04, WB-4 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/20頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 927K |
| 代理商： | MRF6S21100NBR1 |
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10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
Figure 17. MRF6S21100NR1(NBR1) Test Circuit Component Layout — TD-SCDMA
MRF6S21100N/NB, Rev. 3
B1 R3
R1
C1
C2
C3
C8
C7
C4
C5
C6
C9
C10
C11 C12
CUT
OUT
AREA
R2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S21140HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S21190HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S23100HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S23140HSR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| MRF6S23140HR3 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF6S21100NR1 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 23W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S21100NR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21140HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 LDMOS 30W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S21140HR3_07 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S21140HR3_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
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