參數(shù)資料
型號： MRF6S19200HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 404K
代理商： MRF6S19200HSR3
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF6S19200HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF6S19200H/HS
R1
CUT
OUT
AREA
Rev. 2
B1
C1
C2
R2
C4
C3
C8
C6
C10
C12
C15
C13
C14
C11
C9
C5
C7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S20010GNR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270BA
MRF6S20010NR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF6S21050LSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S21050LR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S21060NR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S19200HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 1.9GHZ 56W 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S20010GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2GHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S20010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6S20010 Series 1.6 to 2.2 GHz 28 V 10 W RF Power N-Ch Mosfet - TO-270
MRF6S20010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S20010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*