參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S19200HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 12/12頁(yè)
文件大?。?/td> 404K
代理商： MRF6S19200HSR3
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Zo = 5 Ω
Zload
Zsource
f = 1880 MHz
f = 2040 MHz
f = 1880 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 1600 mA, Pout = 56 W Avg.
f
MHz
Zsource
W
Zload
W
1880
2.11 - j4.27
1.99 - j0.79
1900
2.05 - j4.11
1.96 - j0.64
1920
1.98 - j3.95
1.92 - j0.49
1940
1.92 - j3.80
1.86 - j0.34
1960
1.82 - j3.63
1.78 - j0.20
1980
1.72 - j3.40
1.74 + j0.01
2000
1.74 - j3.17
1.77 + j0.15
2020
1.71 - j3.02
1.78 + j0.29
2040
1.66 - j2.85
1.75 + j0.42
Zsource = Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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MRF6S20010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2GHZ 10W TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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