參數(shù)資料
型號： MMDFS2P102R2
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 3.3 A, 20 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-07, SOP-8
文件頁數(shù)： 9/11頁
文件大?。?/td> 243K
代理商： MMDFS2P102R2
MMDFS2P102
http://onsemi.com
7
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 17. Typical Reverse Current
Figure 18. Maximum Reverse Current
Figure 19. Typical Capacitance
Figure 20. Current Derating
Figure 21. Forward Power Dissipation
15
20
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1E2
1E4
1E3
1E5
15
20
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1000
100
10
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
20
0
1.6
0.8
0.6
0.4
0.2
0
40
0
IO, AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.5
I R
,REVERSE
CURRENT
(AMPS)
1E6
1E7
5.0
10
5.0
10
60
80
100
120
140
160
,A
VERAGE
POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
P
FO
1.0
1.5
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
I
,A
VERAGE
FOR
W
ARD
CURRENT
(AMPS)
O
2.0
0.6
0.7
15
20
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1E1
1E3
1E2
1E4
I R
,MAXIMUM
REVERSE
CURRENT
(AMPS)
1E5
1E6
5.0
10
1.0
1.2
1.4
SQUARE
WAVE
dc
Ipk/Io = 5.0
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 10
Ipk/Io = 20
TYPICAL CAPACITANCE AT 0 V = 170 pF
TJ = 125°C
25
°C
TJ = 125°C
25
°C
85
°C
FREQ = 20 kHz
dc
SQUARE WAVE
Ipk/Io = 5.0
Ipk/Io = p
Ipk/Io = 10
Ipk/Io = 20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDFS2P102R2 3.3 A, 20 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMDFS3P303R2 3500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MMDFS6N303R2 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMDFS6N303 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMFT3055VT3G 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
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參數(shù)描述
MMDFS3P303 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDFS3P303-D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDFS3P303R2 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MMDFS6N303R2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMDJ3N03BJT 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications
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