參數(shù)資料
型號(hào)： MMDFS2P102R2
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 3.3 A, 20 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 751-07, SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 8/11頁(yè)
文件大?。?/td> 243K
代理商： MMDFS2P102R2
MMDFS2P102
http://onsemi.com
6
TYPICAL FET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Figure 13. FET Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
trr
ta
tp
IS
0.25 IS
TIME
IS
tb
t, TIME (s)
Rthja(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
THERMAL
RESPONSE
1.0
0.1
0.001
D = 0.5
SINGLE PULSE
1.0E05
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1.0E+02
1.0E+03
0.0001
0.01
NORMALIZED TO RqJA AT STEADY STATE (1″ PAD)
CHIP
JUNCTION
0.0175
W
0.0154 F
0.0710
W
0.0854 F
0.2706
W
0.3074 F
0.5776
W
1.7891 F
0.7086
W
107.55 F
AMBIENT
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TJ = 125°C
Figure 15. Typical Forward Voltage
Figure 16. Maximum Forward Voltage
0.7
1.0
0.1
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
10
1.0
VF, MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.4
0
1.0
0.1
I F
,INST
ANT
ANEOUS
FOR
W
ARD
CURRENT
(AMPS)
0.1
0.4
0.2
0.3
0.5
0.6
0.8
0.9
0.2
0.4
0.6
0.8
10
I F
,INST
ANT
ANEOUS
FOR
W
ARD
CURRENT
(AMPS)
1.0
1.2
85
°C
25
°C
40
°C
TJ = 125°C
25
°C
85
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDFS2P102R2 3.3 A, 20 V, 0.18 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMDFS3P303R2 3500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
MMDFS6N303R2 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMDFS6N303 6 A, 30 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
MMFT3055VT3G 1700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMDFS3P303 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDFS3P303-D 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts
MMDFS3P303R2 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MMDFS6N303R2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
MMDJ3N03BJT 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Plastic Power Transistors SO−8 for Surface Mount Applications
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