- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374353 > KM29V64000T (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 8M x 8 Bit NAND Flash Memory(8M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29V64000T |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory(8M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 8米× 8位NAND閃存（8米× 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | KM29V64000T |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)當(dāng)前第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)
KM29V64000T
FLASH MEMORY
17
BLOCK ERASE OPERATION
(ERASE ONE BLOCK)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
60H
A
17
~ A
22
A
9
~ A
16
Auto Block Erase Setup Command
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Erase
I/O
0
=1 Error in Erase
DOH
70H
I/O
0
Busy
≈
MANUFACTURE & DEVICE ID READ OPERATION
CE
CLE
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
90H
Read ID Command
Maker Code
Device Code
00H
ECH
E6H
t
WB
t
BERS
t
WC
t
WC
t
READID
Block
Address
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29V64001RS | 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001TS | 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001T | 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29W040AIT | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29W16000AIT | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29V64000TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY |
| KM29V64001RS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29W040AT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 8 bit NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。