參數(shù)資料
型號: KM29V64000T
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 8M x 8 Bit NAND Flash Memory(8M x 8位 NAND閃速存儲器)
中文描述: 8米× 8位NAND閃存(8米× 8位的NAND閃速存儲器)
文件頁數(shù): 13/24頁
文件大小: 293K
代理商: KM29V64000T
KM29V64000T
FLASH MEMORY
13
* Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
I/O
0
~
7
DIN 0
DIN 1
DIN 511
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
* Sequential Out Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
I/O
0
~
7
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
RHZ*
t
REA
t
REH
t
REA
t
CHZ*
t
RHZ
t
RP
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PDF描述
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