參數(shù)資料
型號: KM29V64000T
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 8M x 8 Bit NAND Flash Memory(8M x 8位 NAND閃速存儲器)
中文描述: 8米× 8位NAND閃存(8米× 8位的NAND閃速存儲器)
文件頁數(shù): 12/24頁
文件大小: 293K
代理商: KM29V64000T
KM29V64000T
FLASH MEMORY
12
* Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
I/O
0
~
7
Command
* Address Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
I/O
0
~
7
A
0
~A
7
A
9
~A
16
A
17
~A
22
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
CLS
t
CS
t
WC
t
WC
t
WP
t
WP
t
WH
t
WH
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
相關PDF資料
PDF描述
KM29V64001RS 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64001TS 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64001T 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29W040AIT 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲器)
KM29W16000AIT 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KM29V64000TS 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY
KM29V64001RS 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64001T 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29V64001TS 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY
KM29W040AT 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 8 bit NAND Flash Memory