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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM29V64000T |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8 Bit NAND Flash Memory(8M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 8米× 8位NAND閃存（8米× 8位的NAND閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 293K |
| 代理商： | KM29V64000T |
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KM29V64000T
FLASH MEMORY
15
READ1 OPERATION
(INTERCEPTED BY CE)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
Busy
tRR
t
00h or 01h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
22
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Page(Row)
Address
Address
Column
t
WB
t
AR2
t
CHZ
t
R
t
RC
READ2 OPERATION
(READ ONE PAGE)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
50H
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
22
Dout
511+M
Dout 527
M Address
A
0
~ A
3
:Valid Address
A
4
~ A
7
:Dont care
Dout
511+M+1
Selected
Row
Start
address M
512
16
t
AR2
t
R
t
WB
t
RR
≈
≈
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM29V64001RS | 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001TS | 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001T | 8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29W040AIT | 512K x 8 Bit NAND Flash Memory(512K x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
| KM29W16000AIT | 2M x 8 Bit NAND Flash Memory(2M x 8位 NAND閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM29V64000TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLSH MEMORY |
| KM29V64001RS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001T | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29V64001TS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M X 8 BIT NAND FLASH MEMORY |
| KM29W040AT | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512K x 8 bit NAND Flash Memory |
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