- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄374333 > KFM2G16Q2M-DED6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) MuxOneNAND FLASH MEMORY PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KFM2G16Q2M-DED6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 104/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 1550K |
| 代理商： | KFM2G16Q2M-DED6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁當前第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
104
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
WE Cycle Time
t
WC
70
-
ns
AVD low pulse width
t
AVDP
12
-
ns
Address Setup Time
t
AAVDS
5
-
ns
Address Hold Time
t
AAVDH
7
-
ns
Data Setup Time
t
DS
30
-
ns
Data Hold Time
t
DH
0
-
ns
CE Setup Time
t
CS
0
-
ns
CE Hold Time
t
CH
0
-
ns
WE Pulse Width
t
WPL
40
-
ns
WE Pulse Width High
t
WPH
30
-
ns
WE Disable to AVD Enable
t
WEA
15
-
ns
CE Low to RDY Valid
t
CER
-
15
ns
These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and pull-down resistor value.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time(Note 1)
t
RD1
-
23
35
μ
s
Page Load time(Note 1)
t
RD2
-
30
45
μ
s
Sector Program time(Note 1)
t
PGM1
-
205
720
μ
s
Page Program time(Note 1)
t
PGM2
-
220
750
μ
s
OTP Access Time(Note 1)
t
OTP
-
500
700
ns
Lock/Unlock/Lock-tight Time(Note 1)
t
LOCK
-
500
700
ns
Erase Suspend Time(Note 1)
t
ESP
-
400
500
μ
s
Erase Resume Time(Note 1)
1 Block
t
ERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
ERS2
4
6
ms
Number of Partial Program Cycles in the sector (Including main and
spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
2~64 Blocks
t
BERS2
-
4
6
ms
Multi BlocK Erase Verify Read time(Note 1)
t
RD3
-
70
100
μ
s
5.8 AC Characteristics for Load/Program/Erase Performance
See Timing Diagrams 6.6, 6.7, and 6.8
5.7 AC Characteristics for Asynchronous Write/Load/
Program/Erase Operation
See Timing Diagrams 6.5, 6.6, 6.7, and 6.8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFN2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFX0327T | SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE ISM) |
| KFX0414T | SPECIFICATIONS FOR SAW DUPLEXER (RF DUPLEXER FOR CORDLESS PHONE CIS) |
| KFX1459T | 959.5MHz RF SAW Duplexer For Cordless Phone(CT-1)(959.5MHz射頻聲表面雙工器(用于無線電話(CT-1))) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFM2GN6Q2B-HEB8T00 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| KFM65MZ-160PR | 制造商:TYAN 功能描述:CHASSIS UNIT - Bulk |
| KFM85M | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR CDMA IF STAGE) |
| KFM90D060 | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:CONNECTOR M12 |
| KFM90D060R | 制造商:IDEC CORPORATION 功能描述:CONNECTOR M12 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。