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參數(shù)資料
| 型號： | KFG5616U1M-DIB |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | OneNAND256 |
| 中文描述： | OneNAND256 |
| 文件頁數(shù)： | 79/93頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | KFG5616U1M-DIB |
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OneNAND256
FLASH MEMORY
79
10.3 Asynchronous Read
NOTE:
1. If OE is disabled at the same time or before CE is disabled, the output will go to high-z by t
OEZ
(max. 17ns).
If CE is disabled at the same time or before OE is disabled, the output will go to high-z by t
CEZ
(max. 20ns).
If CE and OE are disabled at the same time, the output will go to high-z by t
OEZ
(max. 17ns).
These parameters are not 100% tested.
Parameter
Symbol
KFG5616X1M
Unit
Min
Max
Access Time from CE Low
t
CE
-
76
ns
Asynchronous Access Time from AVD Low
t
AA
-
76
ns
Asynchronous Access Time from address valid
t
ACC
-
76
ns
Read Cycle Time
t
RC
76
-
ns
AVD Low Time
t
AVDP
12
-
ns
Address Setup to rising edge of AVD
t
AAVDS
7
-
ns
Address Hold from rising edge of AVD
t
AAVDH
7
-
ns
Output Enable to Output Valid
t
OE
-
20
ns
CE Setup to AVD falling edge
t
CA
0
-
ns
CE Disable to Output & RDY High Z
1)
t
CEZ
-
20
ns
OE Disable to Output & RDY High Z
1)
t
OEZ
-
17
ns
SWITCHING WAVEFORMS
Figure 30. Asynchronous Read Mode(AVD toggling)
NOTE:
VA=Valid Read Address, RD=Read Data.
t
OE
VA
Valid RD
t
CE
t
OEZ
CE
OE
WE
A0-A15
CLK
V
IL
AVD
Hi-Z
Hi-Z
RDY
t
AVDP
t
AAVDH
DQ0-DQ15
t
CEZ
Case 1 : Valid Address and AVD Transition occur before CE is driven to Low
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM110 | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR THR IF CIRCUITS OF CORDLESS PHONE) |
| KFM1216Q2M | FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DEB | FLASH MEMORY |
| KFM1216Q2M-DED | FLASH MEMORY |
| KFM210M | SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR US PCS IF STAGE) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KF-GB-03P-W3 | 制造商:Maxxtro 功能描述: |
| KF-GB-S03/6K-W1 | 制造商:Maxxtro 功能描述: |
| KFH-032-10 | 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述: |
| KFH-032-12ET | 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述: |
| KFH-032-8ET | 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述: |
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