參數(shù)資料
型號： KFG5616U1M-DIB
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： OneNAND256
中文描述： OneNAND256
文件頁數(shù)： 22/93頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商： KFG5616U1M-DIB
OneNAND256
FLASH MEMORY
22
Detailed information of Address Map (word order)
-0000h~01FFh: 2(sector) x 512byte(NAND main area) = 1KB
0000h~00FFh(512B)
BootM 0
(sector 0 of page 0)
0100h~01FFh(512B)
BootM 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Main area)
-0200h~05FFh: 4(sector) x 512byte(NAND main area) = 2KB
0200h~02FFh(512B)
DataM 0_0
(sector 0 of page 0)
0300h~03FFh(512B)
DataM 0_1
(sector 1 of page 0)
0400h~04FFh(512B)
DataM 1_0
(sector 0 of page 1)
0500h~05FFh(512B)
DataM 1_1
(sector 1 of page 1)
DataRAM(Main area)
-8000h~800Fh: 2(sector) x 16byte(NAND spare area) = 32B
8000h~8007h(16B)
BootS 0
(sector 0 of page 0)
8008h~800Fh(16B)
BootS 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Spare area)
-8010h~802Fh: 4(sector) x 16byte(NAND spare area) = 64B
*NAND Flash array consists of 1KB page size and 64KB block size.
8010h~8017h(16B)
DataS 0_0
(sector 0 of page 0)
8018h~801Fh(16B)
DataS 0_1
(sector 1 of page 0)
8020h~8027h(16B)
DataS 1_0
(sector 0 of page 1)
8028h~802Fh(16B)
DataS 1_1
(sector 1 of page 1)
DataRAM(Spare area)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFM110 SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR THR IF CIRCUITS OF CORDLESS PHONE)
KFM1216Q2M FLASH MEMORY
KFM1216Q2M-DEB FLASH MEMORY
KFM1216Q2M-DED FLASH MEMORY
KFM210M SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR US PCS IF STAGE)
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KFH-032-8ET 制造商:PennEngineering (PEM) 功能描述:
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