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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00G003M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁數(shù)： | 85/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M-D411 |
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KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
85
Revision 0.1
0
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CKE
CS
RAS
CAS
A10/AP
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Active/Precharge Power Down Mode @CAS Latency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
Row Active
Precharge
*NOTE:
1. All banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
BA
DQM
DQ
*Note 1
*Note 2
Ra
Ca
Qa0
Qa1
Qa2
Precharge
Power-down
Exit
Read
Ra
t
SHZ
*Note 2
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
t
SS
*Note 3
t
SS
t
SS
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S009M | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
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