參數(shù)資料
型號(hào)： KBE00G003M-D411
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
中文描述： NAND閃存的512Mb * 2移動(dòng)SDRAM 256Mb的* 2
文件頁(yè)數(shù)： 4/89頁(yè)
文件大小： 1238K
代理商： KBE00G003M-D411
July 2005
4
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
Revision 0.1
PIN CONFIGURATION
107 FBGA: Top View (Ball Down)
1
2
3
4
5
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8
NC
DQ0
Vdd
Vss
Vcc
NC
A3
NC
Vss
DQ2
DQ1
CLE
CE
A0
A1
A2
Vddq
DQ4
DQ3
ALE
WE
BA0
BA1
A10
Vssq
DQ6
DQ5
RE
R/B
RAS
NC
CS
Vddq
NC
DQ7
WP
NC
CAS
Vss
LDQM
NC
A12
CKE
Vdd
Vdd
UDQM
CLK
A8
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NC
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IO0
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Vddq
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NC
NC
NC
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IO7
A5
Vdd
DQ13
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NC
NC
NC
NC
A4
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DQ15
Vss
Vss
Vccq
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Vss
NC
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WEd
DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
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DNU
DNU
DNU
DNU
DNU
N
P
NAND
M-SDR
NC
NC
NC
NC
9
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00S009M 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBJ2501 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2502 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBJ2503 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S009M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KBE00S009M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2
KB-E100SRW 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長(zhǎng):628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube
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