- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374311 > KBE00G003M-D411 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | KBE00G003M-D411 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| 中文描述： | NAND閃存的512Mb * 2移動SDRAM 256Mb的* 2 |
| 文件頁數(shù)： | 63/89頁 |
| 文件大?。?/td> | 1238K |
| 代理商： | KBE00G003M-D411 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁當前第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁
KBE00G003M-D411
MCP MEMORY
July 2005
63
Revision 0.1
*NOTE:
1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
Hi-Z
Hi-Z
*1
Hi-Z
Hi-Z
*1
Hi-Z
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
ii) CMD
DQM
(a) CL=2, BL=4
i) CMD
DQ
CLK
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
(b) CL=3, BL=4
CLK
i) CMD
DQM
DQ
ii) CMD
DQM
DQ
iii) CMD
DQM
DQ
iv) CMD
DQM
DQ
v) CMD
DQ
DQM
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
Q
0
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
Q
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00S009M | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBJ2501 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2502 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ2503 | 25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S009M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KBE00S009M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND x 2 + 256Mb Mobile SDRAM x 2 |
| KB-E100SRW | 功能描述:LED 顯示器和配件 Red 640nm 90mcd Diffused Light Bar RoHS:否 制造商:Avago Technologies 顯示器類型:7 Segment 數(shù)位數(shù)量:2 字符大小:7.8 mm x 14.22 mm 照明顏色:Red 波長:628 nm 共用管腳:Common Anode 工作電壓:2.05 V 工作電流:20 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 35 C 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。