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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H510738E |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Dual Wide Bandwidth High Output Drive Single Supply Op Amp 8-MSOP-PowerPAD -40 to 125 |
| 中文描述： | 堆疊的512Mb電子芯片DDR SDRAM內(nèi)存規(guī)格（x4/x8） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/22頁(yè) |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | K4H510738E |
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DDR SDRAM
DDR SDRAM stacked 512Mb E-die (x4/x8)
Rev. 1.0 July. 2003
Units : Millimeters
NOTE
1. ( ) IS REFERENCE
2. [ ] IS ASS
’
Y OUT QUALITY
66pin TSOPII / Package dimension
Package Physical Dimension
Block Diagram
64Mx4
64Mx4
CK,CK,CAS
RAS,WE,DM
CKE1,CS1
CKE0,CS0
I/O0-I/O3,DQS
A0-A12,BA0,BA1
32Mx8
32Mx8
CK,CK,CAS
RAS,WE,DM
CKE1,CS1
CKE0,CS0
I/O 0 ~ I/O 3, DQSA0-A12, BA0,BA1
st.128Mb x 4
st.64Mb x 8
1
(
0
0.125
+
0.075
-
0.035
0
×
~8
×
(
×
)
(02)
(R025
0
0.25TYP
22.62MAX
22.22
±
0.10
(0.71)
0.25
±
0.08
0.65
2
0.05(min)
1
±
0
#1
#33
#66
#34
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H510838D-LA2 | 512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H510838D-LB0 | 512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H511638D-UCC | 512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |
| K4H510838C-UC | 512Mb C-die DDR SDRAM Specification |
| K4H510838C-ZLCC | DIN Audio Connector; No. of Contacts:7; Contact Termination:Solder; Mounting Type:Cable; Gender:Male RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H510738E-TC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 512Mb E-die DDR SDRAM Specification (x4/x8) |
| K4H510738E-TC/LAA | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 512Mb E-die DDR SDRAM Specification (x4/x8) |
| K4H510738E-TC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Stacked 512Mb E-die DDR SDRAM Specification (x4/x8) |
| K4H510838A-TCA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
| K4H510838A-TCA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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