參數(shù)資料
型號： K4F661612D-TI
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
中文描述： 4米× 16位的CMOS動態(tài)RAM的快速頁面模式
文件頁數(shù)： 33/35頁
文件大小： 400K
代理商： K4F661612D-TI
CMOS DRAM
K4F661612D,
K4F641612D
Industrial Temperature
t
W C S
t
R P
R A S
V
IH
-
V
IL
-
U C A S
V
IH
-
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IL
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A
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V
IL
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W
V
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ROW
ADDRESS
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t
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HIDDEN REFRESH CYCLE ( WRITE )
U n d e f i n e d
L C A S
V
IH
-
V
IL
-
V
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-
V
IL
-
D Q 0 ~ D Q 7
V
IH
-
V
IL
-
D Q 8 ~ D Q 1 5
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RSH
t
RCD
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COLUMN
ADDRESS
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OUT
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WP
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W C H
DATA-IN
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DH
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D S
DATA-IN
t
DH
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R P
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R A L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4F661612D-TP 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F641612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4F661612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
K4H641638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 150mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-523 3K/REEL
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參數(shù)描述
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