參數(shù)資料
型號(hào)： K4F661612D-TI
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)RAM的快速頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 12/35頁(yè)
文件大?。?/td> 400K
代理商： K4F661612D-TI
CMOS DRAM
K4F661612D,
K4F641612D
Industrial Temperature
N O T E : D
IN
= O P E N
UPPER BYTE READ CYCLE
R A S
V
IH
-
V
IL
-
L C A S
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
O E
V
IH
-
V
IL
-
V
OH
-
V
OL
-
D Q 0 ~ D Q 7
C O L U M N
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
RCD
t
CAS
t
R A L
t
RAD
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C A H
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C A C
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O P E N
DATA-OUT
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R R H
t
RCH
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U n d e f i n e d
U C A S
V
IH
-
V
IL
-
O P E N
V
OH
-
V
OL
-
D Q 8 ~ D Q 1 5
t
C R P
t
R P C
t
R C S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4F661612D-TP 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F641612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4F661612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
K4H641638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 150mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-523 3K/REEL
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參數(shù)描述
K4F661612D-TP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F661612E 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
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K4G10325FE 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
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