參數(shù)資料
型號(hào)： K4F661612D-TI
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)RAM的快速頁(yè)面模式
文件頁(yè)數(shù)： 29/35頁(yè)
文件大小： 400K
代理商： K4F661612D-TI
CMOS DRAM
K4F661612D,
K4F641612D
Industrial Temperature
R A S
V
IH
-
V
IL
-
U C A S
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
O E
V
IH
-
V
IL
-
V
I/OH
-
V
I/OL
-
D Q 0 ~ D Q 7
ROW
A D D R
t
CSH
t
RASP
t
R P
t
ASR
D o n
′
t c a r e
FAST PAGE MODE LOWER BYTE READ - MODIFY - WRITE CYCLE
U n d e f i n e d
t
RAD
t
CAH
t
WP
t
D H
COL.
A D D R
COL.
A D D R
t
ASC
t
CAH
t
R A L
t
R C S
t
C W L
t
C W D
t
A W D
t
R W D
t
W P
t
CWD
t
A W D
t
CPWD
t
C W L
t
AA
t
R A C
t
OEA
t
CLZ
t
C A C
t
O E Z
t
OED
t
ASC
t
CLZ
t
O E A
t
CAC
t
AA
t
D H
t
OED
t
R W L
L C A S
V
IH
-
V
IL
-
t
RCD
t
CP
t
CAS
t
CAS
t
C R P
t
C R P
t
C R P
V
I/OH
-
V
I/OL
-
D Q 8 ~ D Q 1 5
t
D S
t
O E Z
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
DS
t
RPC
t
RSH
t
P R W C
O P E N
t
R C S
t
R A H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4F661612D-TP 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F641612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4F661612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
K4H641638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 150mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-523 3K/REEL
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參數(shù)描述
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K4G10325FE 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory
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