參數(shù)資料
型號: K4F661612D-TI
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
中文描述: 4米× 16位的CMOS動態(tài)RAM的快速頁面模式
文件頁數(shù): 24/35頁
文件大小: 400K
代理商: K4F661612D-TI
CMOS DRAM
K4F661612D,
K4F641612D
Industrial Temperature
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相關PDF資料
PDF描述
K4F661612D-TP 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F641612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4F661612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
K4H641638A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 150mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-523 3K/REEL
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
K4F661612D-TP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F661612E 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
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K4G10325FE 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Graphic Memory