- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367364 > HYE25L256160AC-8* ?256M (16Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ? PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYE25L256160AC-8* |
| 英文描述： | ?256M (16Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ? |
| 中文描述： | ？256M（16Mx16顯示）125MHz的2-2-2分機(jī)。溫度。 ？ |
| 文件頁數(shù)： | 37/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 292K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當(dāng)前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
HYB/E 25L128160AC
128-MBit Mobile-RAM
INFINEON Technologies
37
12/01
13. Self Refresh (Entry and Exit)
BS
t
Self Refresh Exit
Command issued
Addr.
DQM
DQ
AP
Entry
Self Refresh
must be idle
All Banks
Hi-Z
SPT03919-2
Exit Command
Begin Self Refresh
SREX
t
RC
Self Refresh
Exit
Command
Any
T7
CS
CAS
W E
RAS
CKE
CLK
t
CKS
T0
T1
T2
T3
T4
T6
T5
T16
CKS
t
T8
T9
T10
T11
T14
T12
T13
T15
T18
T17
T19
T20
T21
T22
*)
*)
minimum RAS cycle
time depends on CAS
Latency and trc
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM22100S-60 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM22100S-70 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM22100S-80 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V4040GD-60 | x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM321110S-60 | x32 Fast Page Mode DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。