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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYE25L256160AC-8* |
| 英文描述： | ?256M (16Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ? |
| 中文描述： | ？256M（16Mx16顯示）125MHz的2-2-2分機(jī)。溫度。 ？ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 292K |
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HYB/E 25L128160AC
128-MBit Mobile-RAM
INFINEON Technologies
23
12/01
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Interval
4.1 Read to Write Interval
SPT03713
CLK
Read A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1 DOUT B2
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ
’
s
CK2
t
CK3
latency = 3
t
, DQ
’
s
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read B
DOUT B3
DOUT B1
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B3
DOUT B2
Commands = 4 + 1 = 5 cycles
Minimum delay between the Read and Write
DOUT A0
DQ
’
s
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
DQMx
Command
CLK
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DIN B0
DIN B1
SPT03787
DIN B2
DQW
NOP
DQZ
t
NOP
t
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
Write latency
of DQMx
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYE25L256160AF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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