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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYE25L256160AC-8* |
| 英文描述： | ?256M (16Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ? |
| 中文描述： | ？256M（16Mx16顯示）125MHz的2-2-2分機(jī)。溫度。 ？ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/49頁(yè) |
| 文件大小： | 292K |
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HYB/E 25L128160AC
128-MBit Mobile-RAM
INFINEON Technologies
25
12/01
5. Burst Write Operation
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ
’
s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don
’
t care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM22100S-60 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM22100S-70 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM22100S-80 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V4040GD-60 | x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM321110S-60 | x32 Fast Page Mode DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
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