- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367364 > HYE25L256160AC-8* ?256M (16Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ? PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYE25L256160AC-8* |
| 英文描述： | ?256M (16Mx16) 125MHz 2-2-2 Ext. Temp. ? |
| 中文描述： | ？256M（16Mx16顯示）125MHz的2-2-2分機(jī)。溫度。 ？ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/49頁(yè) |
| 文件大小： | 292K |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)當(dāng)前第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)
HYB/E 25L128160AC
128-MBit Mobile-RAM
INFINEON Technologies
15
12/01
Operating Currents
T
CASE
= 0 to 70
°
C (commercial) / -25 to 85
o
C (Extended);
V
DD
= 2.5 V nominal, V
DDQ
= 1.8 V nominal
(Recommended Operating Conditions unless otherwise noted)
Capacitance :
T
CASE
= 0 to 70
°
C (commercial) / -25 to 85
o
C (Extended);
V
DD
= 2.5 V nominal,V
DDQ
= 1.8 V nominal,
f
= 1 MHz
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
max.
Input Capacitance (CLK)
C
I1
C
I2
-
3.5
pF
Input Capacitance
(A0 - A11, BA0, BA1, RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM)
-
3.8
pF
Input/Output Capacitance (DQ)
C
IO
-
6.0
pF
Parameter & Test Condition
Symb. -7.5
-8
Unit
Note
Operating current
t
CK
=
t
CK(MIN.)
All banks operated in random
access, all banks operated in
ping-pong manner
–
I
CC1
130
120
mA
3,4
Precharge standby current
in Power Down Mode
CS =
V
IH (MIN.)
, CKE
≤
V
IL(MAX.)
Precharge standby current
in Non Power Down Mode
CS =
V
IH (MIN.)
, CKE
≥
V
IH(MIN.)
No operating current
t
CK
= min., CS =
V
IH (MIN.)
,
active state (max. 4 banks)
t
CK
= min
I
CC2P
0.4
0.4
mA
3
t
CK
= min
I
CC2N
20
15
mA
3
CKE
≥
V
IH(MIN.)
CKE
≤
V
IL(MAX.)
I
CC3P
I
CC3N
32
28
mA
3
3
3
mA
3
Burst Operating Current
t
CK
= min
Read command cycling
–
I
CC4
70
60
mA
3,4
Auto Refresh Current
t
CK
= min, trc = trcmin.
Auto Refresh command cycling
–
I
CC5
180
170
mA
Deep Power Down Mode Current
I
CC7
3
μ
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYM22100S-60 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM22100S-70 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM22100S-80 | x8 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM32V4040GD-60 | x32 Fast Page Mode DRAM Module |
| HYM321110S-60 | x32 Fast Page Mode DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE25L256160AF | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYE25L256160AF-75 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256MBit Mobile-RAM |
| HYESD0514P | 制造商:HY 制造商全稱:HY ELECTRONIC CORP. 功能描述:4 Channel Low Capacitance ESD Protection Diode Array |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。