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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYE25L128160AC-7.5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | HEX DIE SET,.052/.068/.178/.25 |
| 中文描述： | BJAWBMSpecialty DRAM的移動(dòng)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 980K |
| 代理商： | HYE25L128160AC-7.5 |
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HYB/E 25L128160AC
128-MBit Mobile-RAM
INFINEON Technologies
18
2003-02
Activate(a) to Activate(b)
Command Period
t
RRD
15
–
16
–
ns
5
CAS(a) to CAS(b) Command
Period
t
CCD
1
–
1
–
CLK
–
Refresh Cycle
Refresh Period
(4096 cycles)
t
REF
–
64
–
64
ms
–
Self Refresh Exit Time
t
SREX
1
–
1
–
CLK
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
3
–
3
–
ns
2, 5, 6
Data Out to Low Impedance
Time
1
–
0
–
ns
–
Data Out to High Impedance
Time
t
HZ
3
7
3
8
ns
–
DQM Data Out Disable
Latency
t
DQZ
–
2
–
2
CLK
–
Write Cycle
Write Recovery Time
t
WR
t
DQW
14
–
14
–
ns
7
DQM Write Mask Latency
0
–
0
–
CLK
–
AC Characteristics
(cont
’
d)
1, 2
T
CASE
= 0 to 70
°
C (commercial) / -25 to 85
o
C (Extended);
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 2.5 V nominal, V
DDQ
= 1.8 V nominal,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symb.
Unit
Note
-7.5
-8
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYE25L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYB25L512160AC-75 | 512MBit Mobile-RAM |
| HYB25L512160AC-7.5 | BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
| HYB25L512160AC | 512MBit Mobile-RAM |
| HYB25M128160C | 128-Mbit direct RDRAM(128 Mbit 直接 RDRAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYE25L128160AC-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128-MBIT SYNCHRONOUS LOW-POWER DRAM IN CHIPSIZE PACKAGES |
| HYE25L256160AC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256-Mbit Mobile-RAM |
| HYE25L256160AC-7.5 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
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