參數(shù)資料
型號: HYB25D512800BE-5
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述: 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù): 87/90頁
文件大?。?/td> 3191K
代理商: HYB25D512800BE-5
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
System Characteristics for DDR SDRAMs
Data Sheet
87
Rev. 1.2, 2004-06
08122003-RMYD-6BJP
Figure 52
Pullup slew rate test load
Figure 53
Pulldown slew rate test load
1) The ratio of pullup slew rate to pulldown slew rate is specified for the same temperature and voltage, over the entire
temperature and voltage range. For a given output, it represents the maximum difference between pullup and pulldown
drivers due to process variation.
2) DQS, DM, and DQ input slew rate is specified to prevent double clocking of data and preserve setup and hold times. Signal
transitions through the DC region must be monotonic
MPBD1990
Output
50
Test point
V
DDQ
MPBD2000
Output
50
Test point
V
SSQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512160BE-5 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512800BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
HYB25L256160AC-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25L512160AC-7.5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk