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參數資料
| 型號： | HYB25D512800BE-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數據速率SDRAM |
| 文件頁數： | 75/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512800BE-5 |
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Data Sheet
75
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Timing Diagrams
Figure 42
Power Down Mode
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512160BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512800BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25D512800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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