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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D512800BE-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 71/90頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512800BE-5 |
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2.8
260
285
Data Sheet
71
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Normal Strength Pull-down and Pull-up Characteristics
Table 20
I
DD
Specification
–7
DDR266A
–6
DDR333
–5
DDR400B
Unit
Note/Test Condition
1)
1) Test conditions for typical values:
V
DD
= 2.5 V (DDR266, DDR333),
V
DD
= 2.6 V (DDR400),
T
A
= 25
°
C, test conditions for
maximum values:
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10
°
C
2)
I
DD
specifications are tested after the device is properly initialized and measured at 133 MHz for DDR266, 166 MHz for
DDR333, and 200 MHz for DDR400.
3) Input slew rate = 1 V/ns.
4) Enables on-chip refresh and address counters.
Symbol
I
DD0
Typ.
65
80
75
90
1.5
20
15
9
29
31
67
85
71
90
170
2.6
204
215
Max.
78
95
90
110
4
24
21
13
35
37
78
100
83
105
205
5.1
243
255
Typ.
75
90
85
105
1.6
25
17
11
35
37
77
105
81
110
185
2.7
234
255
Max.
90
110
100
125
4
30
24
15
41
44
90
125
95
130
220
5.2
279
310
Typ.
80
100
90
115
1.7
30
19
12
39
42
85
120
90
125
205
Max.
100
120
110
140
4
36
26
16
47
50
100
145
105
150
245
5.2
310
340
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
×
4/
×
8
2)3)
×
16
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
3)
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
3)
3)
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
3)4)
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
3)
×
4/
×
8
3)
×
16
3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512160BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512800BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線(xiàn)串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25D512800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線(xiàn)串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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