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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25D512800BE-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 65/90頁 |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512800BE-5 |
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Data Sheet
65
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Normal Strength Pull-down and Pull-up Characteristics
5.1
Weak Strength Pull-down and Pull-up Characteristics
1. The weak pull-down
V
-
I
curve for DDR SDRAM devices is expected, but not guaranteed, to lie within the inner
bounding lines of the
V
-
I
curve.
2. The weak pull-up
V
-
I
curve for DDR SDRAM devices is expected, but not guaranteed, to lie within the inner
bounding lines of the
V
-
I
curve.
3. The full variation in driver pull-up current from minimum to maximum process, temperature, and voltage lie
within the outer bounding lines of the
V
-
I
curve.
4. The full variation in the ratio of the maximum to minimum pull-up and pull-down current does not exceed 1.7,
for device drain to source voltages from 0.1 to 1.0.
5. The full variation in the ratio of the nominal pull-up to pull-down current should be unity
±
10%, for device drain
to source voltages from 0.1 to 1.0 V.
Figure 36
Weak Strength Pull-down Characteristics
Figure 37
Weak Strength Pull-up Characteristics
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
Vout [V]
I
Maximum
Typical high
Typical low
Minimum
-80,0
-70,0
-60,0
-50,0
-40,0
-30,0
-20,0
-10,0
0,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
Vout [V]
I
Maximum
Typical high
Typical low
Minimum
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512160BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512800BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25D512800CE-6 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
| HYB25DC512160CE-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述: |
| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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