參數(shù)資料
型號(hào)： HYB25D512800BE-5
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述： 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁(yè)數(shù)： 69/90頁(yè)
文件大?。?/td> 3191K
代理商： HYB25D512800BE-5
—
—
t
RCD
or t
RASmin
10
—
Data Sheet
69
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Normal Strength Pull-down and Pull-up Characteristics
Address and control input setup
time
t
IS
0.6
—
0.75
—
0.9
—
ns
fast slew
rate
3)4)5)6)10)
0.7
—
0.8
—
1.0
—
ns
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
Address and control input hold
time
t
IH
0.6
—
0.75
—
0.9
—
ns
fast slew
rate
3)4)5)6)10)
0.7
—
0.8
—
1.0
1.1
ns
slow slew
rate
3)4)5)6)10)
Read preamble
Read postamble
Active to Precharge command
Active to Active/Auto-refresh
command period
Auto-refresh to Active/Auto-
refresh command period
Active to Read or Write delay
Precharge command period
Active to Autoprecharge delay
Active bank A to Active bank B
command
Write recovery time
Auto precharge write recovery +
precharge time
Internal write to read command
delay
Exit self-refresh to non-read
command
Exit self-refresh to read
command
Average Periodic Refresh
Interval
t
RPRE
t
RPST
t
RAS
t
RC
0.9
0.40
40
55
1.1
0.60
70E+3 42
—
0.9
0.40
1.1
0.60
70E+3 45
—
0.9
0.40
1.1
0.60
120E+3 ns
—
t
CK
t
CK
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
60
65
ns
2)3)4)5)
t
RFC
70
—
72
—
75
—
ns
2)3)4)5)
t
RCD
t
RP
t
RAP
t
RRD
15
15
18
18
—
—
20
20
—
—
ns
ns
ns
ns
2)3)4)5)
2)3)4)5)
2)3)4)5)
12
—
15
—
2)3)4)5)
t
WR
t
DAL
15
—
15
—
15
ns
t
CK
2)3)4)5)
2)3)4)5)11)
t
WTR
2
—
1
—
1
—
t
CK
2)3)4)5)
t
XSNR
75
—
75
—
75
—
ns
2)3)4)5)
t
XSRD
200
—
200
—
200
—
t
CK
2)3)4)5)
t
REFI
—
7.8
—
7.8
—
7.8
μ
s
2)3)4)5)12)
1) 0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C
; V
DDQ
= 2.5 V
±
0.2 V,
V
DD
= +2.5 V
±
0.2 V (DDR333);
V
DDQ
= 2.6 V
±
0.1 V,
V
DD
= +2.6 V
±
0.1 V
(DDR400)
2) Input slew rate
≥
1 V/ns for DDR400, DDR333
3) The CK/CK input reference level (for timing reference to CK/CK) is the point at which CK and CK cross: the input reference
level for signals other than CK/CK, is
V
REF
. CK/CK slew rate are
≥
1.0 V/ns.
4) Inputs are not recognized as valid until
V
REF
stabilizes.
5) The Output timing reference level, as measured at the timing reference point indicated in AC Characteristics (note 3) is
V
TT
.
6) These parameters guarantee device timing, but they are not necessarily tested on each device.
AC Timing - Absolute Specifications for PC3200, PC2700 and PC2100
Parameter
Symbol –5
–6
DDR333
Min.
–7
DDR266A
Min.
Unit
Note/ Test
Condition
1)
DDR400B
Min.
Max.
Max.
Max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512160BE-5 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512800BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
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HYB25L256160AC-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25L512160AC-7.5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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