參數(shù)資料
型號: HYB25D512800BE-5
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512Mbit Double Data Rate SDRAM
中文描述: 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM
文件頁數(shù): 39/90頁
文件大?。?/td> 3191K
代理商: HYB25D512800BE-5
Data Sheet
39
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Functional Description
Figure 16
Read to Precharge: CAS Latencies (Burst Length = 4 or 8)
CAS Latency = 2
NOP
PRE
NOP
NOP
ACT
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DOa-
n
DO a-
n
= data out from bank a, column
n
.
Cases shown are either uninterrupted bursts of 4 or interrupted bursts of 8.
3 subsequent elements of data out appear in the programmed order following DO
a-n
.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BA a, COL n
BA a or all
BA a, ROW
CL=2.5
CAS Latency = 2.5
NOP
PRE
NOP
NOP
ACT
Read
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DOa-
n
t
RP
BA a, COL n
BA a or all
BA a, ROW
CL=2
t
RP
相關PDF資料
PDF描述
HYB25D512160BE-5 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512800BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512160BE-6 512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512400BE-7 512Mbit Double Data Rate SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
HYB25L256160AC-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25L512160AC-7.5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk