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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25D512800BE-5 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 73/90頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3191K |
| 代理商： | HYB25D512800BE-5 |
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Data Sheet
73
Rev. 1.2, 2004-06
HYB25D512[40/16/80]0B[E/F/C/T]
512Mbit Double Data Rate SDRAM
Timing Diagrams
6
Timing Diagrams
Figure 39
Data Input (Write), Timing Burst Length = 4
Figure 40
Data Output (Read), Timing Burst Length = 4
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DQSL
DI n = Data In for column n.
3 subsequent elements of data in are applied in programmed order following DI n.
DI n
DQS
DQ
DM
Don’t Care
t
DQSH
t
QH
(Data output hold time from DQS)
t
DQSQ
and t
QH
are only shown once and are shown referenced to different edges of DQS, only for clarify of illustration.
.
t
DQSQ
and t
QH
both apply to each of the four relevant edges of DQS.
DQS
DQ
t
DQSQ max
t
QH
t
DQSQ max.
is used to determine the worst case setup time for controller data capture.
t
QH
is used to determine the worst case hold time for controller data capture.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB25D512160BE-5 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512800BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512160BE-6 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
| HYB25D512400BE-7 | 512Mbit Double Data Rate SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB25D512800CE-5 | 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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| HYB25L256160AC-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB25L512160AC-7.5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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