參數(shù)資料
型號: HS-6664RH
廠商: Intersil Corporation
英文描述: Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM
中文描述: 輻射加固8K的× 8的CMOS胎膜早破
文件頁數(shù): 8/14頁
文件大?。?/td> 222K
代理商: HS-6664RH
847
HS-6664RH
Metallization Mask Layout
HS-6664RH
(
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V
V
V
A
A
A
D
D
D
G
D
D
D
D
D
E
A
V
Metallization Topology
DIE DIMENSIONS:
271 x 307 x 19
±
1mils
METALLIZATION:
M1: 6k
±
1k
Si/Al/Cu
2k
±
500
TiW
M2: 10k
±
2k
Si/Al/Cu
GLASSIVATION:
Type: SiO
2
Thickness: 8k
±
1k
WORST CASE CURRENT DENSITY:
2 x 10
5
A/cm
2
SUBSTRATE POTENTIAL:
VDD
TRANSISTOR COUNT:
110, 874
GATE COUNT:
27, 719 (Based on 2-Input NAND)
Spec Number
518741
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