參數(shù)資料
型號(hào): HS-6664RH
廠商: Intersil Corporation
英文描述: Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM
中文描述: 輻射加固8K的× 8的CMOS胎膜早破
文件頁(yè)數(shù): 6/14頁(yè)
文件大?。?/td> 222K
代理商: HS-6664RH
845
HS-6664RH
Burn-In Circuits
HS1-6664RH 28 LEAD (8K x 8 PROM DIP)
HS9-6664RH 28 LEAD (8K x 8 PROM FLATPACK)
STATIC CONFIGURATION
NOTES:
1. Power Supply: VDD = 5.5V (Min)
2. Resistors = 10k
±
10%
HS1-6664RH 28 LEAD (8K x 8 PROM DIP)
HS9-6664RH 28 LEAD (8K x 8 PROM FLATPACK)
DYNAMIC CONFIGURATION
NOTES:
1. Power Supply: VDD = 5.5V (Min)
2. VIH = VDD to VDD-1.0V
3. VIL = 0.0V to 0.8V
4. Resistors = 10K
±
10%
5. F0 = 100KHz
±
10%, 50% Duty Cycle
6. F1 = F0/2; F2 = F1/2; F3 = F2/2; F4 = F3/2; F5 = F4/2; . . .
F13 = F12/2
Irradiation Circuit
HS1-6664RH 28 LEAD (8K x 8 PROM DIP)
NOTES:
1. Power Supply: VDD = 5.5V
±
0.5V
2. All Resistors = 47K
±
10%
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VDD
A8
A9
A11
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
P
G
E1
A12
NC
NC
NC
NCNC
VDD
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
SS
= GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VDD
A8
A9
A11
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
P
G
E1
A12
LOAD
LOAD
LOAD
NCNC
VDD
NC
LOAD
LOAD
LOAD
LOAD
LOAD
V
SS
= GND
F9
F10
F12
F0
F11
F0
F6
F5
F4
F3
F2
F1
F13
F8
F7
OUT
VDD/2
10K
LOAD:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VDD
A8
A9
A11
A10
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
P
G
E1
A12
NCNC
VDD
NC
VDD = GND
Spec Number
518741
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PDF描述
HS-801 ECL
HS-807 ECL
HS-809 ECL
HS-80A ECL
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參數(shù)描述
HS-6664RH_00 制造商:INTERSIL 制造商全稱(chēng):Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM
HS-6664RH-T 制造商:INTERSIL 制造商全稱(chēng):Intersil Corporation 功能描述:Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM
HS667 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Peripheral IC
HS668 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Peripheral IC
HS669 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Peripheral IC