- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52R1289E22 (Hitachi,Ltd.) 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52R1289E22 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 1 GB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（1GB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/21頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | HB52R1289E22 |
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HB52R1289E22-A6B/B6B
17
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
Parameter
Frequency (MHz)
HB52R1289E22
-A6B/B6B
t
CK
(ns)
Active command to column command (same bank)
Active command to active command (same bank)
HITA-
CHI
Symbol
I
RCD
I
RC
PC100
Symbol 10
Notes
1
= [I
RAS
+ I
RP
]
1
1
1
1
2
7
Active command to precharge command (same bank) I
RAS
Precharge command to active command (same bank) I
RP
Write recovery or data-in to precharge command
(same bank)
Active command to active command (different bank)
Self refresh exit time
Last data in to active command
(Auto precharge, same bank)
Self refresh exit to command input
5
2
2
I
DPL
Tdpl
I
RRD
I
SREX
I
APW
2
2
4
1
2
= [I
DPL
+ I
RP
]
Tsrx
Tdal
I
SEC
7
= [I
RC
]
3
Precharge command to high impedance
(CE latency = 3)
(CE latency = 4)
Last data out to active command (auto precharge)
(same bank)
Last data out to precharge (early precharge)
(CE latency = 3)
(CE latency = 4)
Column command to column command
Write command to data in latency
DQMB to data in
DQMB to data out
CKE to CK disable
Register set to active command
S to command disable
Power down exit to command input
Burst stop to output valid data hold
(CE latency = 3)
(CE latency = 4)
I
HZP
I
HZP
I
APR
Troh
Troh
3
4
0
I
EP
–2
I
EP
I
CCD
I
WCD
I
DID
I
DOD
I
CLE
I
RSA
I
CDD
I
PEC
I
BSR
–3
1
1
1
3
2
1
0
1
2
Tccd
Tdwd
Tdqm
Tdqz
Tcke
Tmrd
I
BSR
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HB52R329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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