參數(shù)資料
型號(hào)： HB52F168EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 64 MB的無(wú)緩沖SDRAM的內(nèi)存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 31/71頁(yè)
文件大小： 906K
代理商： HB52F168EN
HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F, HB52F168EN-75F, HB52F169EN-
31
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
Notes:
1.I
RCD
to I
RRD
are recommended value.
2.Be valid [DSEL] or [NOP] at next command of self refresh exit.
3.Except [DSEL] and [NOP]
Parameter
HB52F88EM/89EM/
168EN/169EN-75F
133
CE latency = 3
100
CE latency = 2
Frequency (MHz)
t
CK
(ns)
Active command to column command
(same bank)
Active command to active command
(same bank)
HITA-
CHI-
Symbol
I
RCD
PC100
Sym-
bol
7.5
3
10
2
Notes
1
I
RC
9
7
= [I
RAS
+
I
RP
]
1
1
Active command to precharge command
(same bank)
Precharge command to active command
(same bank)
Write recovery or data-in to precharge
command (same bank)
Active command to active command
(different bank)
Self refresh exit time
Last data in to active command
(Auto precharge, same bank)
Self refresh exit to command input
I
RAS
6
5
I
RP
3
2
1
I
DPL
Tdpl
2
1
1
I
RRD
2
2
1
I
SREX
I
APW
Tsrx
Tdal
1
5
1
4
2
= [I
DPL
+
I
RP
]
= [I
RC
]
3
I
SEC
9
7
Precharge command to high impedance I
HZP
Last data out to active command (auto
precharge) (same bank)
Last data out to precharge (early
precharge)
Column command to column command
Write command to data in latency
DQMB to data in
DQMB to data out
CKE to CK disable
Register set to active command
S to command disable
Power down exit to command input
Burst stop to output valid data hold
Burst stop to output high impedance
Burst stop to write data ignore
Troh
3
1
2
1
I
APR
I
EP
–2
–1
I
CCD
I
WCD
I
DID
I
DOD
I
CLE
I
RSA
I
CDD
I
PEC
I
BSR
I
BSH
I
BSW
Tccd
Tdwd
Tdqm
Tdqz
Tcke
Tmrd
1
0
0
2
1
1
0
1
2
3
0
1
0
0
2
1
1
0
1
1
2
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52F169EN 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52F89EM 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52R1289E22 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52R1289E22-A6B 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52R1289E22-B6B 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52F168GB-75B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52F168GB-75BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52F168GB-B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword × 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M × 16 components) PC133/100 SDRAM
HB52F328DC-75B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52F328DC-75BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
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