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參數(shù)資料
| 型號： | HB52F168EN |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 11/71頁 |
| 文件大小： | 906K |
| 代理商： | HB52F168EN |
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HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F, HB52F168EN-75F, HB52F169EN-
11
Byte
No.
17
Function described
SDRAM device attributes:
number of banks on SDRAM
device
SDRAM device attributes:
CE latency
SDRAM device attributes:
S latency
SDRAM device attributes:
W latency
SDRAM module attributes
SDRAM device attributes:
General
SDRAM cycle time
(2nd highest CE latency)
10 ns
SDRAM access from Clock
(2nd highest CE latency)
6 ns
SDRAM cycle time
(3rd highest CE latency)
Undefined
SDRAM access from Clock
(3rd highest CE latency)
Undefined
Minimum row precharge time 0
Row active to row active min 0
RE to CE delay min
Minimum RE pulse width
Density of each bank on
module
(HB52F88EM/89EM)
(HB52F168EN/169EN)
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value
0
0
0
0
0
Com-
ments
4
1
0
0
04
18
0
0
0
0
0
1
1
0
06
2, 3
19
0
0
0
0
0
0
0
1
01
0
20
0
0
0
0
0
0
0
1
01
0
21
22
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
0
00
0E
Non buffer
V
CC
±
10%
23
1
0
1
0
0
0
0
0
A0
24
0
1
1
0
0
0
0
0
60
25
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0
0
0
0
0
0
0
00
26
0
0
0
0
0
0
0
0
00
27
28
29
30
31
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
0
1
1
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
14
0F
14
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20 ns
15 ns
20 ns
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1 bank
64 M byte
0
0
0
0
0
0
0
0
1
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0
0
0
0
0
0
0
0
10
10
2 bank
64 M byte
1.5 ns
32
Address and command
signal input setup time
Address and command
signal input hold time
Data signal input setup time
Data signal input hold time
36 to 61 Superset information
62
SPD data revision code
0
0
0
1
0
1
0
1
15
33
0
0
0
0
1
0
0
0
08
0.8 ns
34
35
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0
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0
0
0
0
0
0
0
0
0
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0
0
0
1
1
0
0
0
15
08
00
02
1.5 ns
0.8 ns
Future use
JEDEC2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52F169EN | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52F89EM | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52R1289E22 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-A6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-B6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52F168GB-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F168GB-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F168GB-B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword × 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M × 16 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52F328DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F328DC-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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