參數(shù)資料
型號: FF800R12KE3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Technische Information / technical information
中文描述: 1200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-10
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 152K
代理商: FF800R12KE3
vorlufige Daten
preliminary data
Technische Information / technical information
FF800R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Z
thJC
= f (t)
3
1,83
2,997E-02
21,17
2,647E-02
Transient thermal impedance
6,897E-01
18,37
4,452E-01
Transienter Wrmewiderstand
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
=±15V, T
vj
=125°C
i
r
i
[K/kW] : IGBT
i
[s] : IGBT
r
i
[K/kW] : Diode
i
[s] : Diode
1
13,45
4,30
2,850E-03
20,16
7,451E-02
0,60
3,820E-03
2
16,12
5,634E-02
4
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Z
t
Zth : IGBT
Zth : Diode
IC,Chip
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
7 (8)
DB_FF800R12KE3_2.0.xls
2002-07-30
相關PDF資料
PDF描述
FF800R17KE3 IGBT-inverter
FFA05U120DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流5A超快恢復功率整流器)
FFA10U120DN 240 x 64 pixel format, CFL, LED, or EL Backlight available
FFA10U40DN Ultra Fast Recovery Power Rectifer(平均整流電流10A超快恢復功率整流器)
FFA120UP60DN LAN Tester RoHS Compliant: NA
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FF800R12KF4 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R12KL4C 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 1.15KA RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF800R17KE3_04 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:IGBT-modules
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